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MacBidouille

Des puces de mémoire DDR3 gravées en 30 nm chez Samsung

Si les fabricants de puces de seconde catégorie ont énormément perdu pendant la crise, les plus puissants ayant d'énormes moyens financiers ont hâté leur transition vers des gravures de puces plus fines qui leur permettent de baisser les coûts de production de leurs produits.
Samsung vient ainsi d'annoncer les premières puces mémoire DD3 gravées en 30 nm. Cette finesse leur permet de diminuer de 30% leur consommation par rapport à des puces gravées en 50nm. La productivité du 30 nm par rapport au 40 nm est en très nette hausse, 60% selon le fabricant.

Fabriquées en masse durant la seconde moitié de 2010, ces nouvelles puces plus petites ou plus denses devraient aussi abaisser le prix des barrettes de fortes capacité, en particulier les SO-DIMM de 4 Go et les barrettes classiques en 8 et 16 Go.

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