Où l'on reparle de la mémoire à changement de phase
L'arrivée des SSD a bouleversé la donne sur le marché de la mémoire Flash. Elle est passée en peu d'années de support de stockage pour clés USB ou cartes mémoire d'appareils photo au stockage de masse pour des ordinateurs.
Il a donc fallu donner un coup de fouet aux performances et aux capacités, ce qui est passé par l'utilisation de mémoire MLC et d'une finesse de gravure accrue. On s'est alors aperçu que plus on gravait finement de la mémoire Flash et moins ses transistors étaient endurants en écriture. Aujourd'hui, la MLC 25 nm supporte 1000 cycles d'écriture avant de rendre l'âme. Il sera difficile de baisser encore ce nombre de cycles sans compromettre l'existence même de ces SSD.
Pendant que les fabricants de puces cherchent à les rendre plus endurantes, d'autres se penchent sur des technologies radicalement différentes qui pourront prendre le relais. L'un des noms que l'on a souvent cité est la mémoire à changement de phase dont on nous parle de temps à autre depuis des années mais surtout depuis 5 ans.
Des chercheurs d'une université de San Diego ont fait une démonstration très prometteuse. Ils ont réussi à en produire une qui serait jusqu'à 7 fois plus rapide que la Flash actuelle. Elle utilise un alliage métallique appelé "chalcogénure" qui peut à volonté être cristallin ou amorphe différenciant ainsi deux états correspondants aux 0 et 1.
Selon les chercheurs, il faudra encore quelques années pour que ce produit passe au stade industriel.