Sandisk a annoncé avoir réussi à créer une puce de mémoire Flash d'une surface de 170 mm2 (1,3 cm de côté) dont la capacité atteint 128 Go. Pour arriver à une telle capacité la société a gravé en 19 nm cette mémoire Flash qui est une X3, stockant 3 bits par cellule contre 2 pour la mémoire Flash habituellement utilisée dans les SSD et autres appareils (iPhone, iPad...).
Le débit maximum en écriture de cette puce est de 18 Mo/s. C'est relativement lent mais lié à la présence de ces 3 bits par cellule, qui rendent les choses largement plus complexes. Il reste maintenant à connaître la durée de vie, le nombre de cycles d'écriture supporté par les cellules de cette puce. En effet, plus on grave fin, plus on rajoute de bits et moins elles sont endurantes dans le temps. La conjonction des deux phénomènes pourrait donc réserver cette mémoire à des usages peu exigents comme dans les clés USB.
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