L'UCLA annonce une avancée pour la mémoire du futur
Un peu partout dans le monde, des labos de recherche travaillent sur des nouvelles générations de mémoire, qui devraient combiner les performances de mémoires RAM avec la rétention des données sans alimentation des mémoires ROM (dont la flash, qu'on trouve aujourd'hui dans tous les appareils mobiles). Dans ce contexte, la technologie qui tient actuellement la corde, et qui est d'ailleurs déjà commercialisée à petite échelle, est la MRAM (Magnetoresistive RAM), qui utilise un stockage sous forme magnétique.
C'est sur ce type de mémoire que travaille un labo de l'UCLA (Université de Californie - Los Angeles), avec comme objectif d'améliorer la consommation électrique de ces mémoires. Selon une récente annonce, leurs travaux pourraient conduire à une division par 10 à 1000 de la consommation électrique.
Les MRAM "classiques", dites STT (Spin-Transfer Torque), utilisent actuellement un courant électrique polarisé en spin pour modifier électriquement l'état magnétique des cellules mémoire, mais ceci nécessite une intensité relativement élevée, et induit donc une consommation électrique plutôt élevée.
Dans les MRAM développées par les chercheurs de l'UCLA, baptisées MeRAM (Magneto electric RAM), ce n'est plus le courant électrique qui permet de modifier l'état magnétique, mais la tension d'un champ électrique, qui permet de "retourner" une nanostructure magnétique et ainsi changer sa polarité. Ainsi, il n'est plus nécessaire d'avoir un courant élevé, et la consommation électrique diminue drastiquement.
Outre la consommation réduite, la MeRAM dispose d'un autre atout de taille pour son avenir commercial : une densité jusqu'à cinq fois plus élevée, qui permettra une production à un coût bien moindre que celui de la STT-MRAM.
Rendez-vous dans quelques années pour le guide de remplacement des barrettes de MeRAM pour le nouveau nouvel iMac ?