MacBidouille

Aujourd'hui, il est de plus en plus difficile de continuer à diminuer la taille des transistors de mémoire Flash NAND sans ruiner l'espérance de vie des cellules. La mémoire gravée la plus finement l'est en 19nm et l'essentiel de la production est encore en 20nm.
Afin de continuer à augmenter la capacité des puces les fabricants commencent à empiler les couches de mémoire les unes aux autres et les interconnectent via de microscopiques puits remplis d'un matériau conducteur. Dans ce domaine Samsung a une bonne avance sur les autres et a même commercialisé en août dernier un SSD utilisant cette 3D V-NAND destiné aux marchés professionnels. Cette gamme atteint les 960 Go avec de la mémoire MLC (le 840 EVO de 960 Go utilise de la TLC).
Afin d'augmenter sa production de cette mémoire et pouvoir probablement la proposer de manière plus large, Samsung a annoncé qu'il en sera produit aussi à partir de mai dans une nouvelle usine construite en Chine. Sa sortie de terre et sa montée en charge coûteront à Samsung 7 milliards de dollars sur 5 ans, preuve de tout l'intérêt d'investir dans la mémoire Flash aujourd'hui.
La production initiale sera de 70000 galettes de silicium de 300 mm, ce qui représentera déjà des Po de mémoire Flash sur un marché en très forte croissance.

Pour le moment les concurrents de Samsung préfèrent rester sur des puces de mémoire Flash MLC sur une seule couche ou songent à la TLC. Il ne fait en tout cas aucun doute que d'ici quelques années tous passeront aux empilements de couches car passer sous les 19nm semble aujourd'hui très très complexe.