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MacBidouille

Samsung se veut rassurant sur la gravure des puces sous les 7nm

Aujourd'hui, toute l'industrie de la fabrication de transistors se focalise sur son avenir de plus en plus incertain au fur et à mesure que l'on se rapproche de la barrière quantique qui était fixée il n'y a pas si longtemps au-dessous des 7nm. Ces industriels se doivent de rassurer leurs investisseurs et cherchent par tous les moyens techniques à la repousser toujours plus loin afin de s'assurer un avenir jusqu'au jour où toutes les usines de fabrication de ces transistors seront incapables d'évoluer pour produire des puces plus petites ou plus denses.

A ce jeu, Samsung, qui est le plus gros fabricant au monde de mémoire et l'un des plus importants de puces ARM, a longuement communiqué sur le sujet. Kinam Kim, président de Samsung Electronics, a fait part des avancées de la société. Aujourd'hui elle sait graver en 14nm et le 10nm est à portée de main. En laboratoire elle a déjà réussi à aller beaucoup plus loin dans la finesse et a même produit des transistors de 3,8nm tout en considérant que le 3,25nm est à sa portée.
Pour réussir cet exploit la société a utilisé à fond les ultra-violets profonds mais a surtout considérablement travaillé sur l'amélioration de la technologie FinFET. Pour rappel, cette dernière consiste à graver des transistors non plus plats, mais dans la hauteur du silicium. En résumé, on les rend plus hauts en même temps que l'on les rend plus fins. Intel utilise cette technologie depuis le 22nm.

Les autres fondeurs commencent à l'utiliser depuis le 14nm.

Samsung a mis au point une technologie finFET qui nécessite 4 étapes d'exposition différentes aux UV pour atteidre les 7nm et utilisera une teconologie appelée tunnel FET en dessous.

Il y a certainement encore un travail considérable à fournir pour produire des puces en masse mais cela semble possible et devrait nous donner au moins 10 ans de répit. Avec ces améliorations Samsung imagine déjà des puces de flash NAND d'une sensité considérable en cumulant des transistors de plus en plus petits et un empilement de couches de plus en plus important. Aujourd'hui la société en empile jusqu'à 32 couches. Demain il y en aura 40 et dans l'avenir plus de 100, de quoi proposer d'ici là des puces de Flash de 1 To.

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