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Samsung annonce des améliorations pour la mémoire Flash NAND

Par Lionel - 08/08/2013 07:40:42 CEST - Categorie: Stockage - Source: Samsung

Si nombre de successeurs se pressent au portillon pour remplacer la mémoire Flash NAND, cette dernière n'a pas encore dit son dernier mot et Samsung a annoncé des nouveautés dans ce domaine.

Cette nouvelle mémoire Flash NAND est une évolution de ce que l'on utilise déjà mais qui apporte deux nouveautés majeures. Pour commencer, la structure des cellules de rétention des données est dorénavant planaire, ce qui simplifie nettement la production des puces et donc leur coût.
De l'autre côté, Samsung annonce pouvoir dorénavant graver verticalement des transistors au sein des galettes de silicium et donc pouvoir en empiler (et les relier) plusieurs couches afin d'en augmenter fortement la capacité.
Les premières puces auront une capacité de 128 gigabits mais l'on pourrait aller jusqu'à 1 térabit. De plus, Selon Samsung ces nouvelles puces pourraient gagner en endurance de manière significative, 2 à 10x par rapport aux productions actuelles.

Techniquement, il n'y a rien de réellement nouveau dans les technologies qui seront utilisées. En revanche, Samsung semble avoir pris pas mal d'avance au niveau du passage à la production industrielle.

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